iDEAL Semiconductor setzt mit SuperQ™-MOSFETs neue Sicherheitsstandards für Hochspannungsbatterien
20.11.2025 ()
iDEAL Semiconductor Devices Inc / Schlagwort(e): Produkteinführung
iDEAL Semiconductor setzt mit SuperQ™-MOSFETs neue Sicherheitsstandards für Hochspannungsbatterien
20.11.2025 / 14:35 CET/CEST
Für den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent / Herausgeber verantwortlich.
--------------------
Das neue 150-V-/2,5-mΩ-Gerät bietet branchenführende Kurzschlussfestigkeit und ermöglicht eine Reduzierung der Komponentenanzahl um bis zu 50 % in 72-V+-Batteriemanagementsystemen
LEHIGH VALLEY, Pa., 20. November 2025 /PRNewswire/ -- iDEAL Semiconductor, ein führender Anbieter von Hochleistungs-Siliziumchips, gab heute die Verfügbarkeit seiner SuperQ™-MOSFET-Technologie bekannt, die speziell entwickelt wurde, um den kritischen Kompromiss zwischen Sicherheit und Effizienz in Hochspannungs-Batteriemanagementsystemen (BMS) (72 V und höher) zu lösen. Die neue Plattform setzt einen Branchenmaßstab für die Kurzschlussfestigkeit (SCWC), die wichtigste Sicherheitskennzahl für den BMS-Entladungsschalter.
Die zunehmende Verbreitung von Hochspannungsakkus in der Elektromobilität, in Drohnen und professionellen Elektrowerkzeugen bringt eine große Herausforderung mit sich: den Schutz vor katastrophalen Ausfällen bei externen Kurzschlüssen, bei denen Stromstärken von mehreren Tausend Ampere auftreten können. Der Entladungs-MOSFET ist die einzige Komponente, die für die Isolierung des Akkus unter diesen extremen Bedingungen verantwortlich ist.
„Bei Hochleistungsakkus ist Robustheit unverzichtbar. Herkömmliche MOSFET-Designs müssen einen Kompromiss zwischen einem extrem niedrigen R[DS(on)] für Effizienz und der strukturellen Integrität eingehen, die erforderlich ist, um einen massiven Kurzschlussstrom zu überstehen", sagte Dr. Phil Rutter, VP of Design bei iDEAL Semiconductor. „Die SuperQ™-Plattform macht diesen Kompromiss überflüssig. Unsere proprietäre Zellstruktur bietet den niedrigsten On-Widerstand auf dem Markt sowie eine unübertroffene Sicherheitsmarge, sodass Entwickler kleinere, zuverlässigere und kostengünstigere Batteriesysteme bauen können."
*1,4-fach höhere Kurzschlussstromfestigkeit*
Interne Tests von iDEAL Semiconductor haben den erheblichen Leistungsvorteil von SuperQ gezeigt. Ein direkter Vergleich des iS15M2R5S1T (150 V, 2,5 mΩ, TOLL-Gehäuse) mit einem führenden Wettbewerber ergab:
*Unternehmen / Produkt*
*Spannung*
*R[DS(on)]*
*SCWC (Spitze)*
iDEAL SuperQ™ (iS15M2R5S1T)
150V
2,5mΩ
800A
Führender Wettbewerber
150V
2,5mΩ
580A
Das SuperQ-Gerät wies eine 1,4-mal höhere Kurzschlussfestigkeit auf als sein nächster Wettbewerber. Diese hervorragende Leistung wird durch eine proprietäre Zellstruktur mit einem breiteren Leitungsbereich erreicht, der die Leistungsdichte und strukturelle Integrität unter extremer Belastung maximiert.
*Geringere Systemkosten und erhöhte Zuverlässigkeit *
Für Entwickler von Batteriepacks bedeutet diese überlegene SCWC einen direkten Vorteil auf Systemebene:
· Reduzierung der Komponenten Da jedes SuperQ-Gerät einen deutlich höheren Kurzschlussstrom verträgt, können Entwickler bis zu 50 % weniger MOSFETs parallel schalten, um die gleichen Sicherheitsanforderungen zu erfüllen.· Kosteneinsparungen: Die Reduzierung der Anzahl der Komponenten und der Komplexität führt zu einer erheblichen Verringerung der Gesamtstückliste (BOM) und vereinfacht das Layout der Leiterplatte.· Effizienz: Durch die Beibehaltung eines extrem niedrigen R[DS(on)] von 2,5 mΩ werden Leitungsverluste minimiert, die Batterielaufzeit verlängert und der Bedarf an Wärmemanagement reduziert.
Das SuperQ-Portfolio ist ab sofort mit Geräten bis zu 200 V erhältlich und bietet Lösungen für Batterieplattformen von 72 V bis über 144 V.
Weitere Informationen und ein White Paper über die Verwendung in Batteriemanagementsystemen finden Sie unter https://idealsemi.com/battery-management/.
*Informationen zu iDEAL Semiconductor*
iDEAL Semiconductor Devices, Inc. ist ein branchenführender Entwickler von Silizium-Leistungsgeräten der nächsten Generation.
Das Unternehmen wurde mit dem Ziel gegründet, die Grenzen des Siliziums zu überwinden. Die patentierte SuperQ-Technologie ermöglicht eine bahnbrechende Energieeffizienz unter Verwendung herkömmlicher CMOS-Prozesse – ohne auf die bewährten Vorteile von Silizium verzichten zu müssen.
Die Plattformtechnologie, die für eine breite Palette Produkte, Anwendungen und Halbleitermaterialien eingesetzt werden kann, wurde speziell entwickelt, um die Verlustleistung in jeder Anwendung zu verringern sowie eine umweltfreundlichere Energienutzung für die nächste Generation zu ermöglichen.
iDEAL ist im Lehigh Valley, Pennsylvania, ansässig. Weitere Informationen finden Sie unter www.idealsemi.com.
Logo - https://mma.prnewswire.com/media/2731545/5632101/iDEAL_Semiconductor_Devices_Inc_Logo.jpg
View original content:https://www.prnewswire.com/news-releases/ideal-semiconductor-setzt-mit-superq-mosfets-neue-sicherheitsstandards-fur-hochspannungsbatterien-302621592.html
--------------------
20.11.2025 CET/CEST Veröffentlichung einer Corporate News/Finanznachricht, übermittelt durch EQS News - ein Service der EQS Group.
Für den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent / Herausgeber verantwortlich.
Die EQS Distributionsservices umfassen gesetzliche Meldepflichten, Corporate News/Finanznachrichten und Pressemitteilungen.
Originalinhalt anzeigen: EQS News
Geplanter A1-Ausbau: Rückt der A1-Lückenschluss in der Eifel näher?
Feedback geben | Topmeldungen RSS Feed | Kontaktieren Sie uns | Bookmarken