ROHM bringt ein neues Gehäuse mit Kühlung auf der Oberseite für SiC-MOSFETs auf den Markt, das eine hohe Wärmeableitung mit Hochspannungsfähigkeit verbindet
15.06.2026 ()
ROHM Co., Ltd. / Schlagwort(e): Miscellaneous
ROHM bringt ein neues Gehäuse mit Kühlung auf der Oberseite für SiC-MOSFETs auf den Markt, das eine hohe Wärmeableitung mit Hochspannungsfähigkeit verbindet
15.06.2026 / 12:25 CET/CEST
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KYOTO, Japan, 15. Juni 2026 /PRNewswire/ -- ROHM Co., Ltd. hat das TSC3PAK-Gehäuse (14,00 × 18,58 × 3,50 mm) für SiC-MOSFETs entwickelt. Durch den Einsatz einer Wärmeableitungsstruktur an der Oberseite, bei der die Wärmeableitungsfläche auf der Oberseite des Gehäuses angeordnet ist, ermöglicht das neue Produkt eine automatisierte Bestückung und erreicht dabei eine Wärmeableitungsleistung, die mit der herkömmlicher Durchsteckgehäuse (TO-247-4L) vergleichbar ist. Dies trägt zu einer höheren Effizienz und Zuverlässigkeit in Stromwandlerschaltungen für Bordladegeräte (OBCs) und elektrische Kompressoren bei, die in xEVs (Elektrofahrzeugen) zum Einsatz kommen.
Produktübersicht – Seite zum TSC3PAK-Paket: https://www.rohm.com/products/sic-power-devices/sic-mosfet?page=1&PS_PackageShortCode=TSC3PAK#parametricSearch
Bei xEVs erstreckt sich der Einsatz von SiC-Bauelementen mittlerweile nicht mehr nur auf Hauptwechselrichter, sondern umfasst auch Stromumwandlungsschaltungen wie On-Board-Ladegeräte (OBCs) und elektrische Kompressoren, um die Ladegeschwindigkeit zu erhöhen und die Reichweite zu verlängern.
Bauteile mit Durchsteckmontage erfordern manuelle Montageprozesse, und aufgrund ihrer Bauform ist es schwierig, ein flacheres Gehäuseprofil zu erzielen. SiC-Bauelemente für die Oberflächenmontage, die für die automatisierte Bestückung geeignet sind, finden zunehmend Verbreitung. Um diese Probleme zu lösen, bietet das neue TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, die mit der von Durchstecktechnologien wie TO-247 vergleichbar ist – und das in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse.
Das neue Gehäuse verfügt über die von ROHM entwickelte Rillenstruktur, die eine große Kriechstrecke von 6,66 mm gewährleistet. Dadurch ist es in der Lage, eine Wechselstrom-Spitzenspannung von 1200 V in einer Umgebung der Verschmutzungsklasse 2 zu bewältigen und gleichzeitig die Kompatibilität mit marktüblichen Produkten zu gewährleisten.
Produkte, die das neue Gehäuse verwenden, sind mit SiC-MOSFETs der 4. Generation von ROHM ausgestattet und zeichnen sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand sowie schnelle Schalteigenschaften aus. Dadurch werden die Schaltverluste bei der Stromumwandlung deutlich reduziert, was zu einer höheren Anwendereffizienz und einem geringeren Stromverbrauch beiträgt.
Die Serienproduktion begann im Juni 2026. Weitere Informationen finden Sie auf der Kontaktseite der ROHM-Website.
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